Регулятор напряжения на 591 3702 схема

регулятор напряжения на 591 3702 схема
При этом стрелка амперметра после первичного максимального отклонения от установившегося положения (оно связано с инерционностью генератора и неизбежно даже при идеальном регуляторе) должна возвращаться к старому или приходить к новому установившемуся положению монотонно, без каких-либо колебаний. Nucl. Sci. 1977. — V. 24, № 6. — P. 2108-2112. 91. Grunthaner F.J. Radiation-induced defects in Si02 as determined with XPS / F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner, J. Maserian // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986. — V. 33, № 6. -P. 1318-1323. 142. Dozier C.M. Photon energy dependence of radiation effects in MOS structures / C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Повышающе-понижающий стабилизатор: выходное напряжение стабилизировано, может быть как выше, так и ниже входного и имеет ту же полярность. Резонным будет вопрос: Зачем нам такое нагромождение схем, если можно на выходе использовать источник уже «готового» эталонного напряжения? Возникающие колебания демпфируются, и их размах значительно уменьшается.


Let. 1985. — V.6, № 1.-P. 8-11. 212. Trapping effects in irradiated and avalanche-injected MOS capacitors/ M. Ba-kowski et al. // IEEE Trans. New York, 1986. — P. 487-496. 112. Devine R.A. Ion implantation and ionizing radiation effects in thermal oxides / R.A. Devine // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. Петрозаводск, 1994.-С. 58-59. 292. Levin M.N. Pulsed magnetic field induced effects in silicon:experiment and theory / M.N. Levin, B.A. Zon // International Symposium on Si heterostructures: from physics to devices. -Heraclion.

Phys. -1979. V. 50, № 1 o. — P. 6366-6372. 107. Hartstein A. Identification of electron traps in thermal silicon dioxide films / A. Hartstein, D.R. Young //Appl. Рига : Зинанте, 1985. -244 с. 85. Revesz A.G. The defect structure of vitreous Si02 films on silicon. I.Structure of vitreous Si02 and the nature of Si-0 band / A.G. Revesz // Phys. При длительной езде на большой скорости размах колебаний стрелки обычно уменьшался настолько, что их трудно было заметить. Для точности стабилизации необходимо наличие «эталона», с которым стабилизируемый параметр сравнивается. Nucl. Sei. 1980. — V. 27, № 6. — P. 16941698. 143. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures / F.B. McLean // IEEE Trans. Подобный процесс происходит и при быстром снижении напряжения.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.